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搜索结果: 1-15 共查到发光学 LED相关记录35条 . 查询时间(0.078 秒)
据九州大学官网报道,中科院长春应用化学研究所秦川江(音)教授和九州大学安达千波矢教授以及京都大学、法国索邦大学等单位的联合研究团队,通过选择合适的有机材料,将钙钛矿LED的发光效率提高了约4倍。钙钛矿薄膜制作相对简单,并且能够发出色纯度高的光,因此有望应用于开发低成本、高色纯度的下一代显示器。钙钛矿LED的发光材料由金属卤化物和有机胺构成,呈现准二维结构。其中的电子和空穴重新结合后,所形成的单重激...
近日,国际著名学术期刊《先进功能材料》以“Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Substrate”为题在线报道了中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组关于利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱...
中国科学院福建物质结构研究所功能纳米结构与组装重点实验室陈学元团队在中科院战略性先导科技专项、中科院创新国际团队、国家自然科学基金海峡联合基金以及副研究员郑伟主持的国家自然科学基金面上基金、中科院青促会和海西研究院春苗计划等支持下,发展了一种独特的高温共沉淀法,首次合成了单分散、形貌/粒径可控兼具高效NIR-II发光的稀土掺杂CaS纳米晶(图1)。该团队通过稳态/瞬态荧光光谱和荧光量子产率等测试手...
近年来,现代工程与应用科学学院邓正涛教授课题组在锡基钙钛矿材料的合成上获得了进展,如:2016年报道了尺寸形貌可控合成Cs2SnI6纳米晶(Chem. Mater. 2016, 28, 8132-8140)。2017年进一步可控制备了CsSnBr3 纳米笼(Chem. Mater. 2017, 29, 6493-6501)。但是,锡卤钙钛矿材料的发光缺陷较多,因为其荧光发光效率远不及同主族的铅卤钙...
近日,受科技部国际合作司委托,河北省科技厅组织专家对河北大旗光电科技有限公司承担的“LED倒装芯片胶粘工艺技术的联合研发”进行了验收。通过审阅项目技术资料、现场查看、质疑答辩等程序,该项目得到了省内外技术专家的高度评价,并顺利通过验收。
针对传统LED显示屏光能利用率和图像画面填充比低的缺点,基于非成像光学理论,提出了一种提高光能利用率和画面填充比的全彩LED显示模块结构系统和设计方法。利用复合抛物面集光器CPC对LED管芯发出光线的发散角进行变换压缩,从而避免了外表面全反射损耗,大幅度提高了系统的光能利用率。利用积分方腔匀光原理和散射元件对光能的二次分配,提高了显示屏的画面填充比、单位像素均匀度及基色复用面积。作为实例,根据上述...
51 V GaN基高压LED的热分析     高压LED  热分析  ANSYS  热阻  深沟槽       2014/2/10
设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光...
实现大功率LED阵列在目标平面上的照度均匀分布对于照明系统具有十分重要的意义。不同于传统解析计算方法,本文采用粒子群(PSO)算法来优化平面随机分布的LED阵列结构,使其在目标光照平面上光照分布均匀。首先推导了LED阵列的照度分布函数,并在此基础上以光照函数的标准差构建一个评价函数,衡量光照分布均匀度。在Matlab中编程获得光照分布最优时候的LED阵列结构数据,并将几何模型导入光学仿真软件Tra...
实现大功率LED阵列在目标平面上的照度均匀分布对于照明系统具有十分重要的意义。不同于传统解析计算方法,本文采用粒子群(PSO)算法来优化平面随机分布的LED阵列结构,使其在目标光照平面上光照分布均匀。首先推导了LED阵列的照度分布函数,并在此基础上以光照函数的标准差构建一个评价函数,衡量光照分布均匀度。在Matlab中编程获得光照分布最优时候的LED阵列结构数据,并将几何模型导入光学仿真软件Tra...
为了提高GaN基LED的光提取效率,构建了一种在金属银膜上下表面分别刻蚀光栅结构的双光栅LED模型。利用时域有限差分法(FDTD)进行数值模拟,比较了无银膜、无光栅、单光栅、双光栅模型下LED的光提取效率。结果表明:在光栅周期为300 nm,占空比为0.23,银膜厚度为30 nm,光源深度为150 nm时,光提取效率较单光栅结构提高了6倍,较无光栅结构提高了16倍。
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流 (20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同 (18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相...
设计了一种基于AlGaInP发光材料的像素为320×240、单元像素面积为100 μm×100 μm 微型LED阵列。通过仿真和分析,设计了一种双条形电极结构。考虑到不同电极宽度下的电流分布情况以及电极的遮光效应,设计了电极宽度为13 μm 的优化电极结构,使得每个发光像素的表面出光面积比为50.15%,并分析了电极对有源层出射的光的反射影响。制定了基于MOEMS工艺的微型LED器件的制作流程并进...
用高温固相反应法合成了Sr2EuxGd1-xAlO5红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu3+离子的5D0→7F1(λ=590 nm)和5D0→7F2(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu3+离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr2EuxGd...
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了Eu3+掺杂的新型钼酸盐基Na0.35BaMo8O16红色荧光粉。利用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱等方法对荧光粉的结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,经800℃退火可以得到表面光滑基本呈长方体结构的Na0.35BaMo8O16:Eu3+样品。在614 nm波长光的监测下,Na0.35BaMo8O16:Eu3+荧光粉的激发光谱为一宽带和系列锐峰,其最强激发峰出现在蓝光...
LED中引入了Al0.1Ga0.9N-AlxGa1-xN-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层AlxGa1-xN的Al组分"x")的变化对LED性能带来的影响。研究发现,具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED具有更好的发光特性,并且其性能与电子阻挡层中的势阱深度密切相关。究其原因,一是由于电子阻挡层内部不同程度的晶格失配而引入的极化电场引起了...

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